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　　【1xbet國際官網科技消息】8月11日，據媒體報道，韓國存儲兩大巨頭三星和海力士正共同推進EUV光刻工藝的研發，其目的為確保下一代DRAM實現量產。

三星（左） SK海力士（右）

　　據悉，在近日舉行的“下一代光刻+圖案化”會議（NGL 2026）上，SK海力士副總裁表示：“正在考慮多重曝光EUV或引入高數值孔徑（High-NA）單次曝光技術，以大規模生產極致微工藝。”并補充到，隨著今年全面啟動相關技術的研發，公司已開始全面引入PSM等新型材料，以期提升EUV光刻性能。PSM能同時控制光強與光相位，通過相消干涉壓制衍射偽影，從而釋放High-NA EUV的理論分辨率。

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　　1xbet國際官網科技了解到，SK海力士正與韓國本土企業東進世美肯（Dongjin Semichem）聯合開發高性能EUV光刻膠，重點提升光敏性以縮短曝光時間、提高晶圓吞吐量，旨在減少對日本供應商的依賴。

　　此前，三星已在華城園區引入首臺High-NA EUV光刻機（ASML Tr:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫inscan EXE:5000），用于技術研發。公司正計劃引入更多該型設備，以在2nm乃至更先進制程中提升良率與性能。三星還表示正在與各合作伙伴開展聯合研發。

SK海力士DRAM工廠

　　目前，三星已完成2nm制程量產，并計劃于2029年量產1.4nm制程，于2030年推出1.4nm改進版（SF1.4+）及1nm制程，與High-NA EUV導入時間高度吻合。

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